Re: WinShellでのエラー

名前: fukuda
日時: 2006-02-03 12:27:15
IPアドレス: 220.215.120.*

>>41085 一部省略しましたが、以下の通りです。 dvioutは以下の破線以降を見ようとすると、 先ほどのようなエラーメッセージがでます。 \documentstyle[12pt,titlepage]{jsarticle} \topmargin=-45pt \headheight=12truept \headsep=25pt \footskip=37pt\footheight=12pt \hoffset=0pt\voffset=12pt \oddsidemargin=0cm \evensidemargin=0cm \textheight=20.0cm \makeatletter \renewcommand{\theequation}{% \thesection.\arabic{equation}} \@addtoreset{equation}{section} \makeatother \begin{document} \title{} \author{} \date{} \maketitle \newpage \section{概要} \section{序論} \section{理論} \section{試料作成} \section{測定} \subsection{測定準備} ------------------------------------------------------------------------------- Heクライオスタットの準備が整ったら断熱セル内を油拡散ポンプで$1\times10^{-5}$ Torrまで排気する。その後真空引きを止め、ヘリウムガスを1mbarまで導入する。この 作業は予冷時に液体窒素をHeクライオスタット内の内側・外側両方のデュアーに入れる ため、断熱セル内に空気が残っていると水分などが液化・固化してしまうのを防ぐため に一度排気した。しかし真空のままだと熱伝導が非常に悪く、断熱セル内の予冷に時間 がかかるため液体ヘリウム温度まで液化しないヘリウムガスを入れた。 ヘリウムガス導入が終わったら、内側・外側両方のデュアーを液体窒素で満たして一晩 放置する。Heクライオスタットが十分予冷されたら、内側デュアーに液体ヘリウムを 導入する前に、内部デュアーに残った液体窒素を追い出し用ヒーターを使ってデュアー から全て排気する。 \subsection{液体ヘリウム導入} 液体ヘリウムの導入が終わったら、断熱セル内(約4.2K)を油拡散ポンプで$1\times10^ {-5}$Torr以下に真空引きする。これは液体ヘリウム内の温度をそのまま下げると断熱 セル内のヘリウムガスが液化してしまう可能性があるからである。その後内側のデュ アーを油回転ポンプで排気し、内部の気圧を下げることによって、断熱セル内のカー ボン抵抗温度計が2K以下になるまで下げる。温度が十分に下がってから、温度コント ローラーを用いて目的温度での伝導度の測定を行う。液体ヘリウムが内側のデュアー に入っている間は、外側のデュアーの液体窒素が、液体ヘリウムが入っている高さよ りも低くならないように随時注ぎ足した。 \subsection{測定} 測定はGPIBインターフェイスを用いて機器をパソコンで制御した。図に装置系の配線図を、表に使用した測定機器の一覧を示す。制御プログラミング言語は、Visual Basicを使用した。また、クライオスタットと各測定器は14ピンコネクタで接続されている。しかしPb膜測定用に増設した配線は14ピンコネクタとコントロールBoxを通さずに測定機器とつないだ。 それぞれの配線に使われた銅線を表に示す。また、各ヒーターの材料を表に示す。Bi回路に流す電流は、$10\mu$Aの直流電源で4端子法を用いた。一つの測定点に測定につき電流反転を用いてプラス側2回、マイナス側2回の計4回測定の平均値をデータとして使用することで、熱起電力の影響を排除した。電流を流し(反転)始めてから電圧を測定するまでには5秒程度の時間をはさんで電圧測定をする。これは電流や外部磁場の変化によって温度がわずかに跳ねるため、目的温度に落ち着くまでやや時間をおくことで正確なデータを取ることができる。 温度計はカーボン抵抗温度計を使用した。カーボン抵抗温度計は低温になると急激に抵抗が上昇する温度特性を持ち、あらかじめ校正したデータをスプライン補間して抵抗値から温度に換算し、温度計として使用している。温度制御はカーボン抵抗温度計から得られた温度をフィードバックしてヒーターに流れる電流値をPID制御している。温度 測定範囲は1.5[K]$\sim$20[K]で、温度誤差は$1.0\times10^{-4}$[K]以内である。 外部磁場印加には超伝導マグネット($H\leq5T$)を使用し、電流源にはAdvantest TR6143 を用いた。 実際の測定では例えば2.0[K]に保ち、0磁場から$+H_c$以上まで磁場を増加させた後、 $+H_c$以上から0磁場を通り、$-H_c$以下まで磁場を減少させる(図参照)。異なる温度を 測定するときは一度0磁場で10[K]付近の温度以上まで温度を上げ、超伝導を完全に壊し てから目的温度まで冷やして測定することで、残留磁場による影響を排除した。 \section{実験結果と考察} \section{まとめと課題} \section{謝辞} \section{参考文献} \end{document}

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